Typ przekaźnika

półprzewodnikowy

Wersja przekaźnika

1-fazowy, PhotoMOS

Rodzaj obudowy

DIP4

Prąd sterujący

max. 50 mA

Prąd pracy

max. 130 mA

Napięcie przełączane

max. 400 VAC / 400 VDC

Rezystancja w stanie przewodzenia

30 Ω

Czas zadziałania

1 ms

Temperatura pracy

-40 do 85 °C

Wymiary

4.7 x 7.62 x 3.9 mm